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IC辐射发射测试的TEM小室设计及数值分析
作 者: 温舒桦
导 师: 胡玉生
学 校: 集美大学
专 业: 机械设计及理论
关键词: TEM小室 集成电路 辐射发射 边界元法 有限元法 特性阻抗 高次模
分类号: TN407
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
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内容摘要
IEC61967-2标准推荐了TEM(横电磁波)小室用于IC(集成电路)150kHz~1GHz辐射发射(RE)测试的过程与方法。随着IC系统向小型化、高密度、高速化方向的快速发展,IC的辐射发射测试变得越来越重要。RE测试频率不断提高,3GHz已成为目前通信产品RE测试的普遍要求。TEM小室用于IC辐射发射测试面临着许多挑战性问题。本文对TEM小室的性能参数、带宽扩展及结构设计等方面进行了研究,研究了特性阻抗、场分布、高次模截止频率及谐振频率的数值计算方法。采用边界元法分析了TEM小室的特性阻抗和准静态场分布。采用有限元软件对高次模、谐振频率、传输特性(如S参数和电压驻波比)进行了仿真分析。对TEM小室垂直极化分量影响较大的主要高次模是TE波(H波),H波与横向电流存在联系,在导体上开纵向缝隙可抑制横向电流,从而可抑制TE高次模的产生。论文仿真分析了TEM小室内、外导体开纵向缝隙对高次模和谐振的影响。此外,本文提出了一种新颖的微TEM小室,该TEM小室底部开口,可直接将IC置于其内测试,不需制作专用电路板,具有测试简单、测试频率高、便于携带、成本低等优点。论文最后对TEM小室的阻抗匹配、屏蔽、防腐防锈、结构设计等技术进行了研究。研究结果表明:通过导体开缝的方法可将TEM小室的上限频率提高到2GHz以上;新型微TEM小室的工作频率可达到3GHz以上;本文的内导体设计方案大大提高了TEM小室的阻抗匹配性能,有效提高了TEM小室的电压驻波比等传输特性。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-10 第1章 绪论 10-23 1.1 电磁兼容简介 10-13 1.1.1 电磁干扰及电磁兼容 10-11 1.1.2 EMC 标准 11-12 1.1.3 EMC 测试 12-13 1.2 IC 的电磁骚扰及测试标准 13-19 1.2.1 IC 的电磁骚扰及辐射机理 13-14 1.2.2 IC 电磁骚扰测试标准 14-15 1.2.3 IEC61967-2 标准—TEM 小室测试法 15-18 1.2.4 IEC61967-3 标准—表面扫描法 18-19 1.3 国内外研究状况 19-21 1.4 课题研究目的和意义 21 1.5 本文的研究工作 21-23 1.5.1 本文的主要研究内容 21-22 1.5.2 本文的研究方法 22 1.5.3 本文研究工作的创新性 22-23 第2章 理论背景 23-36 2.1 传输线理论 23-27 2.1.1 传输线方程及其解 23-25 2.1.2 特性阻抗 25 2.1.3 波的反射及反射系数 25-26 2.1.4 电压驻波比 26-27 2.1.5 回波损耗与插入损耗 27 2.2 波导理论 27-32 2.2.1 横电磁(TEM)波 28-29 2.2.2 横磁(TM)波和横电(TE)波 29-30 2.2.3 矩形波导 30-31 2.2.4 同轴线 31-32 2.3 微波网络 32-35 2.3.1 等效原理 32-33 2.3.2 阻抗矩阵和导纳矩阵 33-34 2.3.3 散射矩阵 34-35 2.4 TEM 小室 35-36 第3章 特性阻抗与准静态场分布的 BEM 分析 36-49 3.1 位势问题的边界元算法思想 36-41 3.1.1 电位基本关系式 36-37 3.1.2 边界上的电位方程 37 3.1.3 边界元方程 37-38 3.1.4 系数矩阵的计算 38-41 3.2 特性阻抗的计算分析 41-45 3.3 准静态场分布的 BEM 算法 45-47 3.4 场分布计算结果 47-49 第4章 TEM 小室高次模和谐振的有限元分析 49-61 4.1 波导本征值问题的有限元算法思想 49-53 4.1.1 纵向场分量法 49-50 4.1.2 波导本征值问题的标量有限元法 50-52 4.1.3 波导本征值问题矢量有限元法 52-53 4.2 高次模截止频率的有限元计算结果 53-54 4.3 谐振分析的矢量有限元法原理 54 4.4 三维谐振的有限元仿真 54-56 4.5 传输特性分析 56-57 4.6 纵向开缝对高次模的抑制效果研究 57-61 第5章 一种宽带微型 TEM 小室的结构与特性分析 61-69 5.1 微型 TEM 小室的特点 61-62 5.2 几何尺寸与准静态场分布 62-63 5.3 微型 TEM 小室的高频特性分析 63-69 第6章 TEM 小室结构设计的关键技术 69-77 6.1 阻抗匹配的关键技术处理 69-73 6.1.1 中段与过渡段转换处的阻抗匹配 69-72 6.1.2 接头过渡段的设计 72-73 6.2 同轴接头的选用 73-74 6.3 防腐与表面处理 74-76 6.4 电磁屏蔽 76-77 第7章 研究总结与展望 77-79 致谢 79-80 参考文献 80-84 在学期间发表的学术论文 84
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 一般性问题 > 测试和检验
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