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三种半导体纳米线的热蒸发制备
作 者: 苏云
导 师: 杨绍光
学 校: 南京大学
专 业: 凝聚态物理
关键词: 纳米带 半导体纳米线 热蒸发 纳米线阵列 ZnS 生长机制 SnO 物理气相沉积法 一维纳米材料 核壳结构 ZnO 微米 气相沉积 形貌 半导体材料 合成方法 生长模式 衬底 分支结构 结构阵列
分类号:
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
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内容摘要
一维纳米材料具有许多独特的物理、化学性质,由于它们在介观物理以及纳米器件的制造等方面有着广泛的应用,因此近年来成为一个热门的研究领域。在本论文中,我们通过气相沉积法 的学位论文">物理气相沉积法制备了ZnO和ZnS这几种半导体材料的纳米线或纳米带,以及与之相关的一些纳米分支结构或异质结构,并研究了它们的形貌、结构和生长机制。本文的主要内容如下:(1)SnO2纳米带的制备、结构表征,对SnO2纳米带掺杂Mn和Co的探索。以SnO2为原料,通过热蒸发的方法在Si衬底上合成了大量SnO2纳米带。SnO2纳米带的长度为几十至上百微米,宽度为50-450nm。另外,我们在原料中加入适量MnO2或Co3O4,以期望在Sn02纳米带中掺入Mn或Co元素,但最终没有成功。(2)ZnO纳米线、六角对称的分级ZnO纳米结构阵列和SnO2/ZnO分支结构的制备、结构表征和生长机制。在大气压下,以ZnO为原料,通过热蒸发的方法在Si衬底上合成了大量ZnO纳米线。ZnO纳米线的长度为5-10μm,宽度为80-280nm。在真空条件下,用类似的条件很容易得到ZnO纳米线阵列。ZnO纳米线的生长模式可以用VLS机制来解释。另外,我们用两步气相沉积的方法制备出六角对称的分级ZnO纳米结构阵列和SnO2/ZnO分支结构。(3)ZnS纳米带和ZnS/C核壳结构的制备、结构表征和生长机制。以ZnS为原料,通过热蒸发的方法在Si衬底上合成了大量ZnS纳米带。ZnS纳米带的长度超过几十微米,宽度约为100-500nm。根据SEM提供的证据,我们认为ZnS纳米带的生长模式可以用VLS机制来解释。另外,我们用两步气相沉积的方法制备出非晶C包裹ZnS的电缆状的核壳结构。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-10 第一章 绪论 10-19 1.1 纳米材料简介 10 1.2 一维纳米材料及其种类 10-12 1.3 一维纳米材料的性质和应用 12-14 1.3.1 力学性能 12 1.3.2 热稳定性 12-13 1.3.3 光学性能 13 1.3.4 化学和催化性能 13 1.3.5 电学性能 13-14 1.4 一维纳米材料的合成方法 14-17 1.4.1 气相法 14-15 1.4.2 液相法 15 1.4.3 固相法 15 1.4.4 模板法 15-17 参考文献 17-19 第二章 气相沉积法制备一维纳米材料 19-29 2.1 气相沉积法简介 19 2.2 气象沉积法的种类 19-21 2.2.1 直接气相法 19-20 2.2.2 间接气相法 20-21 2.3 气相沉积法的生长机制 21-25 2.3.1 气-液-固生长机制 21-25 2.3.2 气-固生长机制 25 2.4 气相沉积法所用的实验装置 25-27 参考文献 27-29 第三章 三种半导体纳米线的制备、表征和生长机制 29-56 3.1 SnO_2纳米带的制备和对掺杂Co/Mn的SnO_2纳米带的探索 29-33 3.1.1 SnO_2纳米带的制备 29 3.1.2 SnO_2纳米带的相和形貌的表征 29-31 3.1.3 SnO_2纳米带的生长机制 31-32 3.1.4 对掺杂Co/Mn的SnO_2纳米带的探索 32-33 3.2 ZnO纳米线和SnO_2/ZnO分支结构的制备 33-48 3.2.1 ZnO纳米线的制备 34 3.2.2 ZnO纳米线的相和形貌的表征 34-36 3.2.3 ZnO纳米线的生长机制 36-38 3.2.4 ZnO纳米线阵列 38-39 3.2.5 六角对称的分级ZnO纳米结构阵列 39-44 3.2.5.1 六角对称的分级ZnO纳米结构阵列的制备 39-40 3.2.5.2 六角对称的分级ZnO纳米结构阵列的相和形貌 40-43 3.2.5.3 六角对称的分级ZnO纳米结构阵列的生长机制 43-44 3.2.6 SnO_2/ZnO分支结构 44-48 3.2.6.1 SnO_2/ZnO分支结构的制备 44 3.2.6.2 SnO_2/ZnO分支结构的相和形貌的表征 44-46 3.2.6.3 SnO_2/ZnO分支结构的生长机制 46-48 3.3 ZnS纳米带,ZnS纳米带和C的包裹结构 48-54 3.3.1 ZnS纳米带的制备 48 3.3.2 ZnS纳米带的相和形貌的表征 48-50 3.3.3 ZnS纳米带的生长机制 50-51 3.3.4 ZnS/C包裹结构 51-54 3.3.4.1 ZnS/C包裹结构的制备 51 3.3.4.2 ZnS/C包裹结构的相和形貌的表征 51-53 3.3.4.3 ZnS/C包裹结构的生长机制 53-54 参考文献 54-56 第四章 总结与展望 56-57 4.1 总结 56 4.2 展望 56-57 攻读硕士期间发表和待发表的论文 57-58 致谢 58-59
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