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有机—金属复合光存储介质及形状可控CuSCN颗粒的研究

作 者: 严翔翔
导 师: 徐伟
学 校: 复旦大学
专 业: 物理电子学
关键词: 金属-有机复合薄膜 相互作用 光存储介质 固-液界面反应 CuSCN颗粒 形状控制 阈值电压
分类号: TP333
类 型: 硕士论文
年 份: 2012年
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内容摘要


本论文由如下两部分组成:用作光存储介质的有机-金属复合薄膜发现了一种新的可用作光存储介质的有机-金属复合薄膜结构。该薄膜由有机分子层和纳米尺度的Ag金属层构成。讨论了制作该复合薄膜的工艺,并且对于该结构中不同有机分子、有无A1反射层、Ag金属层厚度、作用激光功率及时间等因素对于该复合薄膜的影响进行了初步的研究。对激光作用形成的激光写入点进行了SEM形貌的表征,发现被辐射区有微结构变化。通过紫外-可见(Uv-vis)吸收光谱,以及X射线光电子能谱(XPS)对Ag金属层进行了研究,发现厚度小于10nm时,Ag金属层以纳米颗粒的形式存在。并且通过Uv-vis吸收光谱,发现金属层与有机层之间存在相互作用,认为该相互作用导致了激光写入点的形成。认为该种有机-金属复合薄膜结构具有用作光存储介质的潜力,对今后的研究有很好的参考意义。固-液界面反应制备CuSCN颗粒材料及基于该材料的电存储器件采用一种新的醇溶液体系来制备CuSCN颗粒薄膜。利用Cu薄膜与KSCN醇溶液之间的固-液界面反应,制备出了由特定形状的CuSCN颗粒组成的薄膜。发现可以通过改变溶剂的种类,以及固-液界面反应的温度,来控制生成的CuSCN颗粒的形状。当使用乙醇溶剂,反应温度控制在20℃时,可以得到均一的CuSCN圆台形微米级颗粒。制备出了基于上述CuSCN薄膜的电存储器件。在CuSCN薄膜介质层两面制作Cu、Al电极,得到了可以一次写入多次读取(WORM)的电存储器件。对制备出的电存储器件的电学性能,如成品率、状态比、阈值分布等进行了研究。通过调整参加反应的Cu薄膜的厚度,可以得到成品率高并且阈值分布较窄的电存储器件

全文目录


摘要  4-5
Abstract  5-6
第一部分 用作光存储介质的有机—金属复合薄膜  6-35
  第一章. 引言  7-15
    1-1. 信息存储材料  7
    1-2. 光盘存储技术  7-15
      1-2-1. 只读式光盘材料  9
      1-2-2. 可擦重写光盘存储材料  9-12
      1-2-3. 有机光盘存储材料  12-15
  第二章. 实验  15-19
    2-1. 实验方法概述  15
    2-2. 实验用材料与有机分子  15-16
      2-2-1. 实验用材料  15-16
      2-2-2. 实验用有机分子  16
    2-3. 实验仪器与设备  16-17
    2-4. 蒸镀  17-18
    2-5. 样品的制备工艺  18-19
  第三章. 结果分析与讨论  19-33
    3-1. 不同有机分子的影响  19-20
    3-2. 基于HYPM的样品结果分析  20-29
      3-2-1. 有无Al反射层的影响  20-22
      3-2-2. Ag金属层厚度的影响  22-23
      3-2-3. 激光功率的影响  23-24
      3-2-4. 激光作用时间的影响  24-26
      3-2-5. 样品的SEM表征  26-28
      3-2-6. 样品的稳定性  28-29
    3-3. 可能的理论解释  29-33
      3-3-1. Ag金属层  29-31
      3-3-2. 有机-金属界面  31-33
  第四章. 结论和展望  33-35
    4-1. 结论  33
    4-2. 有待进一步研究的问题  33-35
第二部分 固-液界面反应制备的CuSCN颗粒材料及基于该材料的电存储器件  35-58
  第五章 引言  36-40
    5-1. 纳米/微米材料和技术简介  36-37
    5-2. 纳米/微米材料的制备方法  37-39
      5-2-1. 自上而下的制备方法  37-38
      5-2-2. 自组装法  38-39
    5-3. CuSCN材料简介  39
    5-4. 本文工作  39-40
  第六章 CuSCN颗粒的制备与表征  40-46
    6-1. 实验方法概述  40
    6-2. 实验用材料  40
    6-3. 实验仪器与设备  40-41
    6-4. 样品的制备工艺  41
    6-5. CuSCN颗粒形貌表征  41-44
      6-5-1. 不同温度对CuSCN颗粒形貌的影响  42
      6-5-2. 不同溶剂对CuSCN颗粒形貌的影响  42-44
    6-6. XRD及拉曼表征  44-45
    6-7. 反应机理  45-46
  第七章 基于CuSCN颗粒的电存储器件  46-57
    7-1. 电存储器件简介  46-48
      7-1-1. 信息技术与电存储器件  46
      7-1-2. 电存储器件的开关模型和导电机制  46-48
    7-2. 器件的制备与测试  48-49
    7-3. 结果分析与讨论  49-57
      7-3-1. 器件的一次写入、多次读出(WORM)性能  49-50
      7-3-2. 不同厚度铜薄膜对器件阈值分布的影响  50-56
      7-3-3. 器件的极性开关机制  56-57
  第八章 总结与展望  57-58
    8-1. 结论  57
    8-2. 有待进一步研究的问题  57-58
参考文献  58-67
发表论文及专利  67-68
致谢  68-69

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中图分类: > 工业技术 > 自动化技术、计算机技术 > 计算技术、计算机技术 > 电子数字计算机(不连续作用电子计算机) > 存贮器
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