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纳米尺度下光学邻近校正的预处理与后验证研究

作　者: 齐晶
导　师: 史峥
学　校: 浙江大学
专　业: 电路与系统
关键词: 光学邻近校正测试图形亚分辨率辅助图形热点检测支持向量机切分
分类号: TN405
类　型: 硕士论文
年　份: 2012年
下　载: 25次
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内容摘要

作为超大规模集成电路制造中图形转移部分(Pattern Transfer)的关键方法,光刻技术(Photo-lithography)越来越显得举足轻重。特别是由于工艺进入纳米尺度,对于目前的65纳米和45纳米技术节点,因过于接近光刻成像系统的极限而使得实际刻出图形有严重畸变,于是如分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology, RET)和面向可制造性的设计辅助(Design For Manufacturability, DFM)成为不可或缺的一环。光学邻近校正(Optical Proximity Correction, OPC)便是经常使用的分辨率增强技术。一方面,亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution Assist Features, SRAF)作为光学邻近校正的预处理步骤,会在主图形周围加入辅助图形以改善光强对比度以及焦深。而另一个方面,热点检测(Hotspot Detection)则是光学邻近校正后验证的关键步骤,它以快速、可靠定位光刻过程中可能出现的问题区域,从而帮助光学邻近校正配方进行修复和调整。本文研究并提出了一种利用测试图形优化亚分辨率辅助图形配方的方法,该法将一维参数与二维参数分步优化。与传统得到亚分辨率辅助图形配方方法比较,能较好地减少边放置误差,改善工艺窗口,并减小配方的复杂度。通过65纳米工艺节点的实验,表明了该种方法能够减小10%的边放置误差。同时工艺窗口有很好改善,未出现亚分辨率辅助图形刻出的现象。本文还实现了一种利用切分信息和支持向量机的热点检测方法。该方法用光学邻近校正切分时候的信息加以特征提取。在支持向量机中进行训练后,能进行光学邻近校正后版图的热点检测且无需定义热点类型。通过在45纳米工艺节点的实验,最后有80%的热点检测正确率。

全文目录

致谢  6-8
摘要  8-9
Abstract  9-10
插图  10-12
表格  12-13
缩写、符号清单、术语表  13-14
目次  14-16
1 绪论  16-29
  1.1 引言  16-17
  1.2 纳米尺度光刻工艺简介  17-20
    1.2.1 现状和挑战  17-18
    1.2.2 波长193纳米光刻工艺流程  18-20
  1.3 光学邻近效应  20-21
  1.4 分辨率增强技术  21-28
    1.4.1 掩模和光源等工艺手段  22-23
    1.4.2 光学邻近校正  23-26
    1.4.3 光学邻近校正的预处理后验证  26-27
    1.4.4 EUV技术的不足  27-28
  1.5 论文内容安排和创新点  28
  1.6 本章小结  28-29
2 亚分辨率辅助图形技术及其实现  29-43
  2.1 分辨率辅助图形原理  29-32
  2.2 插入亚分辨率辅助图形流程  32-34
    2.2.1 插入亚分辨率辅助图形的实现流程  32-34
  2.3 传统基于规则的亚分辨率辅助图形插入技术  34-35
  2.4 用测试图形优化配方的算法  35-37
  2.5 优化算法实验  37-41
    2.5.1 65纳米制程下的预处理技术验证  37-39
    2.5.2 45纳米制程下的预处理技术验证  39-41
  2.6 本章小结  41-43
3 热点检测技术及基于切分的热点检测实现  43-50
  3.1 热点检测技术背景  43
  3.2 热点检测技术方法  43-45
  3.3 基于切分的机器学习热点检测流程  45
  3.4 基于切分的机器学习热点检测实现  45-47
  3.5 支持向量机简介  47-48
  3.6 热点检测实验  48-49
  3.7 本章小结  49-50
4 结束语  50-54
  4.1 论文总结  50
  4.2 后续研究展望  50-54
参考文献  54-60
索引  60-61
作者简历  61-62
发表文章目录  62

纳米尺度下光学邻近校正的预处理与后验证研究

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