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硅通孔互连热应力的数值模拟及仿真试验设计
作 者: 徐成
导 师: 江五贵
学 校: 南昌航空大学
专 业: 材料工程
关键词: 硅通孔 铜互连 尺寸效应 应变梯度 试验设计
分类号: TN405
类 型: 硕士论文
年 份: 2012年
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内容摘要
由于3D芯片集成具有高传输速度和小封装尺寸的优点,作为其关键技术的硅通孔技术(Through Silicon Vias,简称TSV),已被广泛应用于微电子系统。而铜互连线是TSV技术中典型的互连线之一。本文首先建立了热力耦合的塑性应变梯度的本构关系,并通过用户子程序UMAT嵌入到ABAQUS中进行互连结构的热应力分析,之后基于所建立的本构模型,结合参数化有限元方法和试验设计方法对TSV结构进行优化研究。主要工作和结论如下:(1)研究了完全填充铜TSV和填充聚合物TSV结构在退火时的热应力分布情况。结果显示两种TSV结构可能出现失效区域均集中在铜互连顶部界面处,该处热应力超过铜的屈服强度。相比完全填充铜TSV结构,填充聚合物TSV结构更可能出现热失配导致的应力失效。(2)建立了热力耦合的塑性应变梯度的本构关系,并通过用户子程序UMAT嵌入到ABAQUS中进行互连结构的热应力分析。同时与理想弹塑性互连解析解进行了对比,结果显示二者轴向应力值较为接近,而解析解所得径向应力则小的多。在不同通孔半径和通孔结构整体缩小的条件下,铜互连中心和顶部界面处均出现显著的尺寸效应,即在互连尺寸接近亚微米时,热应力随着半径减小而急剧增加的现象。通孔半径对静水应力有显著的影响,互连半径小于10微米时,铜互连中心位置始终保持较大静水应力,因此在铜互连中心线区域可能出现空洞缺陷,与实验结果一致。深宽比对硅通孔结构热应力具有显著影响,随着深宽比的增加,应力集中区域发生变化,当深宽比大于10时,应力集中区域将由铜互连顶部界面区域迁移至中心线区域,同时热应力值也大幅度的增加。(3)基于参数化有限元模型对TSV互连结构进行了试验设计及单设计响应的优化。基于应变梯度的材料本征效应对TSV互连结构热力学性能有显著影响,在对互连结构设计时必须足够重视。对TSV互连结构进行优化的结果显示,在初始模型一致的情况下,不同的优化方法会得到不同的最优解,优化技术的选择对优化结果具有显著影响,同时也说明TSV结构优化具有多峰性特点,TSV互连结构设计空间较大。
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全文目录
摘要 3-4 Abstract 4-6 目录 6-8 第一章 绪论 8-16 1.1 3D 封装技术发展概况 8-11 1.2 硅通孔互连技术发展现状 11-14 1.3 国内外研究现状 14-15 1.4 主要研究内容 15-16 第二章 硅通孔互连热应力分析 16-26 2.1 引言 16-17 2.2 硅通孔互连模型的建立 17-19 2.3 模拟结果及讨论 19-25 2.4 本章小结 25-26 第三章 基于低阶应变梯度塑性理论的互连热应力分析 26-48 3.1 低阶应变梯度塑性理论介绍 26-27 3.2 考虑热力耦合本构关系的低阶应变梯度塑性理论 27-30 3.2.1 基于泰勒位错模型的低阶应变梯度塑性理论 27-28 3.2.2 低阶应变梯度理论中引入热力耦合本构关系 28-29 3.2.3 低阶应变梯度塑性理论的有限元实现 29-30 3.3 硅通孔互连热应力理论值计算 30-33 3.3.1 理想化互连结构模型 31 3.3.2 弹性互连结构模型 31-32 3.3.3 弹塑性互连结构模型 32 3.3.4 理论值计算结果 32-33 3.4 CMSG 塑性理论计算结果 33-46 3.4.1 CMSG 计算结果与理论值比较 36-37 3.4.2 尺寸效应对 TSV 结构热应力的影响 37-40 3.4.3 TSV 结构整体缩小的热应力分布 40-42 3.4.4 不同深宽比对 TSV 结构热应力的影响 42-46 3.5 本章小结 46-48 第四章 硅通孔互连结构的试验设计及优化 48-62 4.1 引言 48 4.2 试验设计 48-50 4.3 多学科设计优化 50 4.4 数值优化技术介绍 50-51 4.4.1 Hooke-Jeeves 直接搜索法 50 4.4.2 混合整型优化 50-51 4.4.3 连续性规划 51 4.5 试验设计及结构优化设计的基本步骤 51-53 4.5.1 模型的准备 51-52 4.5.2 任务的集成 52 4.5.3 试验设计方法的选择 52-53 4.5.4 集成优化方案完成优化运算 53 4.6 试验设计过程 53-57 4.6.1 试验设计参数的设定 53-54 4.6.2 试验设计历程及结果分析 54-57 4.7 优化设计及结果分析 57-59 4.7.1 优化参数及优化技术的选择 57 4.7.2 优化历程及结果分析 57-59 4.8 本章小结 59-62 第五章 结论与展望 62-64 5.1 结论 62-63 5.2 展望 63-64 参考文献 64-68 攻读硕士学位期间发表的论文 68-69 致谢 69-70
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 一般性问题 > 制造工艺
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