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低压低功耗CMOS基准参考源的设计

作　者: 余国义
导　师: 邹雪城
学　校: 华中科技大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 模拟集成电路设计 带隙基准源 亚阈值电压 温漂系数 曲率补偿 电源抑制比 微调技术
分类号: TN432
类　型: 博士论文
年　份: 2006年
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内容摘要


基准参考源(Reference)是集成电路中一个重要的单元模块,广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和片上系统(SoC)芯片中。随着集成电路产业的发展和半导体制造工艺技术的进步,深亚微米标准CMOS工艺将将成为片上系统(SoC)集成电路设计的主流,因此本论文基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺技术,采用工作在亚阈值区MOSFET设计纯CMOS高精度基准参考源具有一定先进性和代表性。本论文的研究工作主要是包括三个方面的内容,即亚阈值MOSFET基准电路模型的研究、亚阈值MOSFET基准电路的设计和亚阈值MOSFET基准电路的误差修正。对于亚阈值MOSFET基准电路模型的研究。首先基于CMOS器件结构和影响MOSFET阈值电压的因素,分析总结出MOSFET阈值电压的表达式。直接从亚阈值MOSFET漏源电流(即亚阈值电流)的方程中,得到亚阈值MOSFET栅源电压表达式,并分析其温度特性。然后基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺模型,对MOSFET阈值电压和亚阈值MOSFET栅源电压温度特性进行仿真验证,得出设计亚阈值MOSFET基准电路所必需的理论依据。接着基于传统的带隙基准参考源的设计原理,利用工作在亚阈值区的MOSFET的I-V特性,提出了两种亚阈值MOSFET基准电路模型:电压模电路模型和电流模电路模型。对于亚阈值MOSFET基准电路的设计。首先,根据提出的两种亚阈值MOSFET基准电路模型,设计了两款简单适用的低电压低功耗MOSFET基准参考源电路。接着,针对高端消费类电子芯片和通信类电子芯片的性能要求,围绕基准参考源的温度系数和电源抑制比等性能指标,设计了四种低电压低功耗高性能的亚阈值MOSFET基准电路。对设计的每一款低电压低功耗亚阈值MOSFET基准电路均进行了详细的电路原理分析,给出了相关的电路公式和重要的设计参考结论。第一种亚阈值MOSFET电流模基准电路是基于简单的电路配置,充分利用了反馈技术来设计的。其最大的优点是在一定温度范围内具有很低的温漂系数,可以在低于1V电源电压下工作,且功耗也很低,但是其输出基准电压不能任意调节,低频电源抑制比也不是很高。第二种亚阈值MOSFET电流模基准电路是利用不同类型的集成电阻温度系数的差异来设计具有高阶温度曲率补偿的基准参考源。其最大的优点是在比较宽的温度范围内具有较低的温漂系数,但电路中用到了低阻集成电阻,使得芯片的面积较大,而且所需电源电压高于1V。第三种亚阈值MOSFET电流模基准电路是利用nMOSFET和pMOSFET的阈值电压的差异来设计具有高阶温度曲率补偿的基准参考源。由于误差放大器采用了低电压的设计策略,因此这种基准电路可以工作在1 V电源电压下。第四种是一种高电源抑制比的亚阈值MOSFET电流模基准电路。它主要是采用电压调制技术和提高运算放大器电源抑制比的方法,来提高基准参考源的电源抑制比,其低频电源增益可以达到-127 dB。对于亚阈值MOSFET基准电路的误差修正。结合熔丝微调技术和激光微调技术,提出了两种适合深亚微米工艺技术的亚阈值MOSFET基准电路工艺误差的修正方案,并指出其优缺点。接着,逐一分析本论文提出的六款亚阈值MOSFET基准电路的特点,选择合适的方案对输出基准工艺误差进行修正。

全文目录


摘要  4-6
Abstract  6-10
1 绪论  10-22
  1.1 CMOS 基准源的应用背景  10-13
  1.2 CMOS 基准源的技术背景  13-17
  1.3 CMOS 基准源的研究现状  17-19
  1.4 低压低功耗CMOS 基准参考源的设计方案  19-20
  1.5 研究目的与意义  20-22
2 低电压低功耗MOSFET 基准电路模型  22-38
  2.1 亚阈值MOSFET 模型  22-34
  2.2 亚阈值MOSFETS 基准电路模型  34-37
  2.3 本章小结  37-38
3 低电压低功耗MOSFET 基准电路的设计  38-65
  3.1 亚阈值MOSFET 电压模基准电路  38-50
  3.2 亚阈值MOSFET 电流模基准电路  50-63
  3.3 本章总结  63-65
4 高性能亚阈值MOSFET 基准电路的设计  65-111
  4.1 一种结构新颖的亚阈值MOSFET 电流模基准电路  65-77
  4.2 基于集成电阻温度系数进行温度曲率补偿的亚阈值MOSFET 电流模基准电路  77-91
  4.3 一种新颖的高阶温度曲率补偿的亚阈值MOSFET 电流模基准电路  91-101
  4.4 一种高电源抑制比亚阈值MOSFET 电流模基准电路  101-108
  4.5 本章总结  108-111
5 亚阈值MOSFET 基准参考源的工艺误差修正  111-121
  5.1 电阻工艺误差修正策略  111-114
  5.2 工艺误差修正方案  114-117
  5.3 基准参考源工艺误差的修正  117-119
  5.4 本章总结  119-121
6 全文总结与展望  121-124
致谢  124-125
参考文献  125-131
附录1 攻读博士学位期间发表的论文  131

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 半导体集成电路（固体电路） > 场效应型
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