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磁性薄膜、超薄膜及图形薄膜的磁性研究

作　者: 翟亚
导　师: 陆祖宏
学　校: 东南大学
专　业:
关键词: 磁性薄膜 超薄膜 磁性研究 单轴各向异性 矩形单元 各向异性能 铁磁共振 GaAs系统 磁化强度 磁各向异性
分类号: O484.43
类　型: 博士论文
年　份: 2003年
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内容摘要


随着在磁性随机存储器和超高密度存储技术中应用的不断拓展，近二十年来，磁性薄膜和超薄膜的结构、基本磁性、层间耦合、界面状况及其相关效应一直是人们研究的熟点和难点之一。尤其是光刻成微米、亚微米尺寸的磁性单元阵列的图形薄膜，由于和应用的尺度直接相关，且具有不寻常的磁特性，最近吸引了越来越多的兴趣。本论文以铁磁共振为主要研究手段，辅助以磁性和磁光测量，对外延于GaAs及InAs上的不同厚度的单晶Fe超薄膜、不同厚度的NiFe多晶薄膜和电子束光刻的多晶NiFe和NiFeCo单层利三明治结构的微米及亚微米矩形单元阵列图形薄膜的磁性，特别是磁各向异性进行了较为系统的研究。主要结果如下：一、半导体衬底上外延生长Fe单晶超薄膜的磁性的研究1． 对衬底为GaAs外延生长的4． 1-33原子层厚度(monolayer,简称ML)的Fe单晶超薄膜进行了铁磁共振(FMR)和磁光研究，建立了理论模型对铁磁共振实验结果进行了模拟，重现了不同厚度的超薄膜，从纳米团簇到两相共存的过度阶段直至连续薄膜结构与磁性的变化，特别是磁各向异性从单轴各向异性向立方各向异性转变的演化过程。并计算出了薄膜各生长阶段的有效磁化强度，回旋磁比及各向异性常数。主要有如下发现：(1) 膜厚在4． IML时，未形成连续薄膜，而是超顺磁性的团簇，具有很大的单轴的垂直各向异性和平面单轴各向异性，色散关系曲线是对称的正弦类曲线。(2) 当膜厚增加到5． 2 ML时，薄膜的FMR显示出双共振峰，其中之一与厚度为4． 1ML的薄膜共振场一致，说明此时是连续薄膜与超顺磁团簇共存。这是首次利用铁磁共振获得的结果。当厚度大于8． 4ML后，薄膜形成连续膜，垂直利平面的单轴各向异性随膜厚的增加而减小，并出现了四度对称的成份。色散关系曲线在8． 4-12． 7ML的厚度范围内产生不对称，经过拟合，发现原因除了外磁场和磁化强度的取向差之外主要是因为出现了高阶各向异性及立方对称各向异性。(3) 薄膜中存在的面内单轴各向异性可能来源于磁弹性相互作用，这是由于薄膜在生长过程中，与衬底的品格错配而产生的应力各向异性导致的。(4) 朗道因子g约为2． 08，这与块材铁单品的g因子接近。2． 对于外延生长在InAs衬底上、厚度为8-25ML的超薄Fe单晶膜进行了铁磁共振和磁光研究，获得以下几点结果：(1) 膜厚在8-25ML之间时，薄膜面内的磁晶各向异性为四度对称各向异性，垂直单轴各向异性比同厚度的Fe／GaAs系统小许多，而立方各向异性则比Fe／GaAs系统更接近bcc结构的Fe。与Fe／GaAs系统的平面单轴各向异性相比，Fe／InAs系统的平面单轴各向异性消失得较快，这可能是Fe／InAs系统各向异性的应力弛豫比Fe／GaAs系统快所致。(2) 色散关系曲线同样出现不对称现象，但原因与Fe／GaAs系统不同，土要是由于磁场和磁化强度的取向差较大所致。(3) 朗道因子g约为2． 08，这与以GaAs为衬底Fe单晶超薄膜的g因子接近。(4) 首次用FMR定量地验证了前人原位测量的定性结果，并对FMR共振场角度依赖性的非对称性给出两种解释。二、多晶单层薄膜及图形化薄膜磁性的研究1． 当多晶单层坡莫合金薄膜的厚度小于4nm时，薄膜的磁性发生异常，g因子增大、FMR 博士论文：磁性薄膜、超薄膜及图形菏膜的磁性研穴 线宽出现峰值以及磁化强度锐减等都说明在簿膜的界面可能存在着低磁性的合金池合 层NIFe－Ta k分层引起的不均匀性。并利用FMR线宽得到磁化进动的阻尼系数，其隘 厚度变化的趋势与以前研究开关时间随厚度的变化趋势一致。这是非常有意义的发现。2．NIFe单层膜中存在反走向磁滞回线，这是在薄膜边界形成合金混合层的一个可能的百接 证据，我们用反铁磁模型模拟了磁滞回线，与实验中观测到的磁滞回线有较虹的符合。3．对NIFe矩形单元阵列图形薄膜进行的FMR研究发现，在矩形单元阵列图形簿膜中确实 存在平面内形状各向异性，在连续簿膜中，由于其横向尺寸远大于厚度，平面内形状各 向异性很小，可略去：但在微米及亚微米单元中，出现了平面形状各向异性，其易磁化 方向沿薄膜的矩形单元长边方向（正方单元为正方边），难磁化方向沿薄膜的矩形单元 的短边方向。4．对于 NIFeCo／CuMIFeCo三层矩形单元阵列图形膜，当矩形单元的矩形比一定时，随着 单元尺寸的减小，其共振场随磁场在面内的取向变化的振幅增大，这是由于平面形状各 向异性增大的缘故，与单层图形簿膜的情况有所不同。5．对于 NIFe和 NIFeCo矩形单元阵列图形单层薄腴，首次利川 FMR对微米和亚微米单元 中退磁场及磁化强度不均匀性进行了研究，提出非椭球型单元的退磁场可由准均匀与非 均匀两部分织成，用均匀磁化的类椭球处理来表示准均匀磁化分量的各向异性能，而川 高次硕来代表非均匀磁化分量的各向异性能，给出了矩形阵列中的磁各向异性能的不同 来源的数学表式，并对FMR数据作山了棋拟，结果与实验数据吻合得很杠。并且，来 囱准均匀磁化的各?

全文目录


中文摘要  8-10
英文摘要  10-13
第一章 绪论  13-27
  §1． 1 引言  13-14
  §1． 2 自发磁化与交换作用  14-15
    1． 2． 1 海森伯（Heisenberg）局域电子直接交换作用  14-15
    1． 2． 2 超交换作用（过度族化合物中的间接交换作用）  15
    1． 2． 3 RKKY交换作用（金属中的间接交换作用）  15
  §1． 3 磁各向异性  15-18
    1． 3． 1 磁品各向异性  16
    1． 3． 2 感生各向异性和磁弹性各向异性  16-17
    1． 3． 3 表（界）面各向异性  17
    1． 3． 4 单向各向异性  17-18
  §1． 4 形状各向异性  18-21
    1． 4． 1 退磁场  18-19
    1． 4． 2 退磁场能  19-20
    1． 4． 3 形状各向异性  20-21
  §1． 5 磁化进动及自旋波  21-23
    1． 5． 1 自旋进动及一致进动  21-22
    1． 5． 2 自旋波的基本原理  22-23
  §1． 6 维度效应  23-24
  §1． 7 本论文的工作  24-25
  参考文献  25-27
第二章 基本实验方法及测量原  27-42
  §2． 1 薄膜的制备  27-31
    2． 1． 1 薄膜生长过程  27
    2． 1． 2 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy）生长单晶薄膜  27-29
    2． 1． 3 溅射法制备多晶薄膜及多层膜  29-30
    2． 1． 4 图形磁性结构物质的制备  30-31
    2． 1． 5 基片的清洗  31
  §2． 2 厚度和结构的表征  31-35
    2． 2． 1 X射线衍射（XRD）  31-33
    2． 2． 2 双光束干涉显微镜测厚法  33
    2． 2． 3 扫描电子显微术，透射电子显微术（SEM，TEM及HRTEM）  33-34
    2． 2． 4 原子力显微镜及磁力显微镜（AFM及MFM）  34-35
  §2． 3 物性测量  35-40
    2． 3． 1 振动样品磁强计（VSM）和SQUID磁强计  35-37
    2． 3． 2 磁光克尔效应测量系统及原位测量系统  37-38
    2． 3． 3 铁磁共振（FMR）  38-40
  参考文献  40-42
第三章 半导体衬底上外延生长Fe单晶超薄膜的磁性研究  42-63
  §3． 1 引言  42
  §3． 2 样品的制备及原位结构和磁性的表征  42-45
  §3． 3 对不同厚度的Fe／GaAs超薄膜的研究  45-53
    3． 3． 1 磁光Kerr回线测量结果  46
    3． 3． 2 铁磁共振测量的结果  46-48
    3． 3． 3 理论模型及拟合  48-51
    3． 3． 4 Fe在GaAs衬底上的生长演化过程  51-53
    3． 3． 5 Fe／GaAs系统的磁各向异性的演化  53
  §3． 4 对不同厚度的Fe／InAs超薄膜的研究  53-60
    3． 4． 1 磁光Kerr回线测量结果  53-55
    3． 4． 2 铁磁共振测量测量结果  55
    3． 4． 3 铁磁共振的理论拟合  55-57
    3． 4． 4 Fe／InAs系统的磁各向异性  57-58
    3． 4． 5 FMR共振场与平面内磁场角度依赖关系曲线不对称性的讨论  58-59
    3． 4． 6 关于单轴各向异性  59-60
  §3． 5 本章小结  60-61
  参考文献  61-63
第四章 多晶单层薄膜及图形化薄膜磁性的研究  63-89
  §4． 1 引言  63
  §4． 2 多晶单晶坡莫合金薄膜Ta／NiFe／Ta 磁性的研究  63-68
    4． 2． 1 样品的制备及结构的表征  63-64
    4． 2． 2 磁性测量及结果  64-65
    4． 2． 3 铁磁共振测量及结果  65-66
    4． 2． 4 FMR的理论拟合和讨论  66-68
  §4． 3 电子束光刻微米亚微米矩形阵列坡莫合金薄膜的磁性研究  68-77
    4． 3． 1 微米亚微米矩形阵列坡莫合金薄膜的制备及图形结构的表征  68-69
    4． 3． 2 磁测量和铁磁共振测量  69-71
    4． 3． 3 图形薄膜中非均匀退磁场对平面形状各向异性的影响  71-75
    4． 3． 4 图形薄膜中的磁化强度的不均匀激发  75-77
  §4． 4 NiFeCo合金图形化单层膜及多层薄膜磁性的研究  77-81
    4． 4． 1 微米亚微米矩形阵列NiFeCo合金薄膜的制备及图形结构的表征  77-78
    4． 4． 2 磁测量和铁磁共振测  78-80
    4． 4． 3 NiFeCo多层图形薄膜FMR共振线宽的讨论  80-81
  §4． 5 具有负剩磁的反走向磁滞回线的研究  81-86
    4． 5． 1 反走向磁滞回线  81-84
    4． 5． 2 反走向磁滞回线的反铁磁交换藕合模型及结果  84-86
  §4． 6 本章小结  86-87
  参考文献  87-89
第五章 微米、亚微米矩形单元的退磁场和磁化状态的微磁学数值计算的研究  89-103
  §5． 1 引言  89
  §5． 2 退磁场的计算的研究  89-95
    5． 2． 1 退磁场计算的理论模型  89-92
    5． 2． 2 退磁场的数值计算结果讨论  92-95
  §5． 3 微米、亚微米矩形单元中磁化强度分布图象的计算  95-102
    5． 3． 1 计算磁化状态的微磁学理论原理  95-97
    5． 3． 2 磁化状态的理论计算结果：磁化强度的不均匀分布  97-99
    5． 3． 3 磁化状态的理论计算结果：磁场对磁化分布的影响  99-102
  §5． 4 本章小结  102
  参考文献  102-103
攻读博士学位期间发表的论文  103-105
致谢  105

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中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学 > 薄膜的性质 > 磁性质
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