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L波段频率可调同轴相对论返波振荡器研究

作　者: 葛行军
导　师: 钟辉煌
学　校: 国防科学技术大学
专　业: 电子科学与技术
关键词: 高功率微波 相对论返波振荡器 同轴慢波结构 频率可调 模式竞争 脉冲缩短
分类号: TN752
类　型: 博士论文
年　份: 2010年
下　载: 54次
引　用: 4次
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内容摘要


相对论返波振荡器是一种发展最成熟的振荡器型的高功率微波源,具有高功率、高效率以及适合重频运行等特点,在工业和国防领域有着广泛的应用前景。受限于慢波结构尺寸大、导引磁场质量重等因素,相对论返波振荡器在向L波段拓展遇到了很大困难。同时,构造方便可调的电动力学结构以实现输出微波频率可调,是高功率微波的重要研究方向之一。在此背景下,论文提出了一种L波段频率可调同轴相对论返波振荡器。利用理论分析和粒子模拟方法对该器件进行了系统的研究,获得了一系列可用于指导该类型器件设计的物理思想及研究方法,并在实验中成功获得了吉瓦级L波段的高功率微波辐射,且频率在百兆赫兹范围内可调。论文的研究内容包括以下几个方面:首先,对同轴慢波结构进行了系统的理论研究。对比分析了同轴波导与圆波导的特性,利用同轴波导中TEM模的截止频率为0、空间电荷限制流较高的特性,在径向尺寸较小的情况下实现了L波段微波的高功率输出。求解了有限厚电子束下同轴任意形状周期慢波结构的色散关系,比较了三种双波纹慢波结构在冷腔情况下的高频特性,结果表明:相同条件下,余弦结构的准TEM模具有最宽的频率调节范围、最大的相速以及最小的耦合阻抗,梯形、矩形结构对应的特性依次减弱,且三种结构的准TEM模的纵向电场都具有表面波的特点;耦合阻抗随着波纹深度的增加而增大,随着周期和内外波纹结构相移的增大而变小,并且随着内波纹平均半径的增加先增大后减小。在考虑电子束的空间电荷影响下,求解了准TEM模的增长率,结果表明,增长率随波纹深度的增加而增大,随周期和电子束厚度的增大而减小,且随二极管电压的改变存在最大值。其次,为实现L波段器件小型化并提高器件效率,设计了由梯形外波纹同轴慢波结构和同轴引出结构组成的电动力学结构。阐述了梯形外波纹同轴慢波结构的优点,研究了准TEM模的场分布特性,并指出利用此结构下纵向电场具有表面波的特点可实现横向模式选择,从而缩小器件的径向尺寸;着重分析了内导体改变对频率的影响,得到了频率随内导体半径的增大而减小的结论,奠定了器件频率方便可调的基础;此外,采用S参数方法讨论了有限长同轴慢波结构的纵向谐振特性,提出纵向模式选择的概念;明确指出同轴引出结构的引入有利于提高各纵模、尤其是类π模的Q值,可在周期数较少的情况下实现高效的单频振荡,进而缩短器件轴向长度和提高束波作用效率。在粒子模拟方面,采用2.5维全电磁粒子模拟程序对器件产生高功率微波的机制进行了系统深入的研究,给出了束波作用过程详细的物理图像。着重分析了内导体半径和微波频率可调节特性之间的关系:当内导体半径在0.5-2.5cm范围内改变时,微波频率在1.63-1.51GHz范围内可调,且器件运行稳定,效率变化范围仅为27.7-35.4%。经优化,在导引磁场1.1T、二极管电压700kV、电流11.2kA的条件下,模拟获得了频率1.60GHz、功率2.78GW、效率35.4%的同轴TEM模微波输出。在此基础上,归纳出了低频段同轴相对论返波振荡器的设计原则,并给出了其在P波段和S波段的拓展应用,在模拟中均获得了效率大于20%的微波输出。此外,探讨了慢波结构表面爆炸发射、器件内中性气体电离产生的等离子体对器件工作特性的影响,结果表明:慢波结构表面的径向电场有利于抑制二次电子的发射;质量越轻的正离子对微波功率和脉宽的影响越严重;碰撞电离产生的等离子体的密度与中性气体的核电荷数相关。最后,对L波段频率可调同轴相对论返波振荡器的运行机制、工作特点进行了实验研究。在Torch-01加速器上开展了系统的实验研究。当导引磁场为0.8T、二极管电压为713kV、电流为11.4kA时,得到频率1.58GHz、功率1.07GW、效率13.2%、脉宽38.8ns、主模TM01模的微波输出。重点分析了微波频率可调节特性和模式竞争现象,结论如下:当内导体半径在0.5-1.5cm范围内改变时,微波频率在1.64-1.58GHz范围内可调,对应微波功率幅值的变化在3dB以内;去掉内导体能够获得功率为390MW的S波段微波输出;调节收集极深度可得到频率相差40MHz的微波信号;当二极管电压偏低、导引磁场偏小以及结构不同心时,会激励起非对称准TE11模,通过提高二极管电压和导引磁场、调节结构同心度可以有效抑制模式竞争现象。此外,还进行了长脉冲实验研究,在导引磁场0.9T、二极管电压700kV的条件下,获得了频率1.58GHz、功率1.2GW、脉宽86.4ns的微波输出,结果表明器件具有长脉冲运行的潜力。

全文目录


摘要  14-16
Abstract  16-19
第一章 绪论  19-34
  1.1 高功率微波源  19-21
    1.1.1 高功率微波  19-20
    1.1.2 高功率微波源  20-21
  1.2 相对论返波振荡器  21-30
    1.2.1 提高效率  22-25
    1.2.2 增大功率  25-26
    1.2.3 延长脉宽  26-27
    1.2.4 重复频率运行  27-28
    1.2.5 降低外加磁场  28
    1.2.6 双频、双波段  28-29
    1.2.7 毫米波  29-30
  1.3 同轴RBWO  30-31
  1.4 课题研究的意义及主要内容  31-34
第二章 同轴慢波结构  34-56
  2.1 同轴波导与圆波导特性对比  34-39
    2.1.1 谐振频率  34-36
    2.1.2 功率容量  36-38
    2.1.3 空间电荷限制流  38-39
  2.2 同轴任意形状周期SWS 的色散关系  39-45
    2.2.1 Fourier 级数展开法  39-41
    2.2.2 TM 模的色散方程  41-45
  2.3 三种同轴周期SWS 冷腔的高频特性  45-53
    2.3.1 色散曲线  46-48
    2.3.2 电场分布  48-50
    2.3.3 耦合阻抗  50-53
  2.4 同轴周期SWS 热腔的高频特性  53-55
    2.4.1 色散曲线  53-54
    2.4.2 增长率  54-55
  2.5 小结  55-56
第三章 L 波段频率可调同轴RBWO 的物理分析  56-67
  3.1 器件设计的物理思想  56-58
  3.2 横向模式选择  58-61
    3.2.1 表面波特性  58-59
    3.2.2 束波作用条件  59-60
    3.2.3 高阶模的抑制  60-61
  3.3 频率可调节  61-62
  3.4 纵向模式选择  62-64
    3.4.1 SWS 有限长效应  62-63
    3.4.2 周期个数的影响  63-64
  3.5 同轴引出结构  64-66
    3.5.1 纵向谐振特性  64-65
    3.5.2 结构参数影响  65-66
  3.6 小结  66-67
第四章 L 波段频率可调同轴RBWO 的粒子模拟研究  67-95
  4.1 粒子模拟方法  67-68
  4.2 基本模型和物理图像  68-75
    4.2.1 电子群聚和电流调制  69-70
    4.2.2 微波频率和模式  70-72
    4.2.3 微波功率及频谱  72-73
    4.2.4 起振时间分析  73
    4.2.5 三维模型验证与偏心模拟  73-75
  4.3 影响器件性能的主要因素  75-81
    4.3.1 内导体  75-77
    4.3.2 同轴引出结构  77-79
    4.3.3 变阻抗SWS  79-80
    4.3.4 二极管电压  80
    4.3.5 导引磁场  80-81
  4.4 典型模拟结果及对实验结果的预测  81-82
  4.5 辐射系统的设计  82-84
    4.5.1 TEM-TM01 辐射系统  82-83
    4.5.2 TEM-TE11 辐射系统  83-84
  4.6 脉冲缩短现象的粒子模拟  84-92
    4.6.1 SWS 表面爆炸发射  85-87
    4.6.2 中性气体电离  87-90
    4.6.3 抑制措施  90-92
  4.7 波段的拓展及设计方法总结  92-94
    4.7.1 正弦双波纹P 波段RBWO  92
    4.7.2 矩形内波纹S 波段RBWO  92-93
    4.7.3 设计方法归纳  93-94
  4.8 小结  94-95
第五章 L 波段频率可调同轴RBWO 的实验研究  95-119
  5.1 实验系统及参数测量  95-100
    5.1.1 实验系统  95-96
    5.1.2 参数测量  96-98
    5.1.3 测量系统定标  98-100
  5.2 介质-铜阴极特性  100-102
    5.2.1 阴极设计  100-101
    5.2.2 发射前后表面微观结构  101-102
  5.3 导引磁场设计  102-104
    5.3.1 理论计算  102-103
    5.3.2 位形测定  103-104
  5.4 实验结果  104-106
    5.4.1 微波频率和功率  104-105
    5.4.2 微波模式  105-106
  5.5 微波频率可调节特性  106-109
    5.5.1 改变内导体半径实现频率可调  106-107
    5.5.2 去掉内导体实现S 波段微波输出  107-108
    5.5.3 收集极深度对谐振频率的影响  108-109
  5.6 非对称模式的抑制与激励  109-111
    5.6.1 非对称模成因分析  109-111
    5.6.2 非对称模式的抑制与激励  111
  5.7 参数影响分析  111-116
    5.7.1 二极管电压  111-113
    5.7.2 导引磁场  113-114
    5.7.3 结构参数  114-116
  5.8 长脉冲实验研究  116-118
  5.9 小结  118-119
第六章 总结与展望  119-123
  6.1 主要工作与结果  119-121
  6.2 主要创新工作  121
  6.3 后续工作展望  121-123
致谢  123-125
参考文献  125-136
作者在学期间取得的学术成果  136-137

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 基本电子电路 > 振荡技术、振荡器 > 振荡器
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