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石墨带的电子性质
作 者: 张兴妹
导 师: 杨化通
学 校: 东北师范大学
专 业: 理论物理
关键词: 石墨带 态密度 电导
分类号: O481
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
下 载: 30次
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内容摘要
单层石墨是理想二维晶体,不仅可以十分稳定的存在于通常环境下,而且还表现出很多优异的性质。单层石墨的电子性质会随其大小,形状和边缘方向改变而改变。对各种不同的几何构型单层纳米石墨带的理论计算,有利于我们使其与半导体工业结合。本文一共分三章。第一章介绍纳米石墨带的一些基本性质,包括纳米石墨带的制备和其几何结构,及单层石墨的电子性质。第二章介绍本文所用的基本理论方法,即以紧束缚模型为基础的非平衡格林函数方法。第三章主要讨论两端不同宽度的纳米石墨带其电子性质的变化,主要是态密度和电导的变化。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-7 第一章 绪论 7-10 1.1 背景 7-8 1.2 纳米石墨带的制备 8 1.3 纳米石墨带的几何结构和基本性质 8-10 第二章 格林函数方法 10-14 2.1 电子运输和格林函数 10-12 2.2 格林函数的迭代算法 12-14 第三章 两端宽度不同的纳米石墨带的性质 14-37 3.1 两端宽度不同的纳米石墨带的哈密顿 14-18 3.2 两端宽度不同的纳米石墨带的自能迭代 18-19 3.3 两端宽度不同的纳米石墨带的态密度和电导 19-37 3.3.1 宽度对纳米石墨带的态密度和电导的影响 19-23 3.3.2 边缘结构对纳米石墨带的态密度和电导的影响 23-25 3.3.3 两端宽度不同的扶手椅型纳米石墨带的态密度和电导 25-30 3.3.4 两端宽度不同的锯齿型纳米石墨带的态密度和电导 30-37 结论 37-38 参考文献 38-39 致谢 39
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中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 固体理论
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