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石墨带的电子性质

作 者: 张兴妹
导 师: 杨化通
学 校: 东北师范大学
专 业: 理论物理
关键词: 石墨带 态密度 电导
分类号: O481
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
下 载: 30次
引 用: 0次
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内容摘要


单层石墨是理想二维晶体,不仅可以十分稳定的存在于通常环境下,而且还表现出很多优异的性质。单层石墨的电子性质会随其大小,形状和边缘方向改变而改变。对各种不同的几何构型单层纳米石墨带的理论计算,有利于我们使其与半导体工业结合。本文一共分三章。第一章介绍纳米石墨带的一些基本性质,包括纳米石墨带的制备和其几何结构,及单层石墨的电子性质。第二章介绍本文所用的基本理论方法,即以紧束缚模型为基础的非平衡格林函数方法。第三章主要讨论两端不同宽度的纳米石墨带其电子性质的变化,主要是态密度电导的变化。

全文目录


摘要  4-5
Abstract  5-7
第一章 绪论  7-10
  1.1 背景  7-8
  1.2 纳米石墨带的制备  8
  1.3 纳米石墨带的几何结构和基本性质  8-10
第二章 格林函数方法  10-14
  2.1 电子运输和格林函数  10-12
  2.2 格林函数的迭代算法  12-14
第三章 两端宽度不同的纳米石墨带的性质  14-37
  3.1 两端宽度不同的纳米石墨带的哈密顿  14-18
  3.2 两端宽度不同的纳米石墨带的自能迭代  18-19
  3.3 两端宽度不同的纳米石墨带的态密度电导  19-37
    3.3.1 宽度对纳米石墨带的态密度和电导的影响  19-23
    3.3.2 边缘结构对纳米石墨带的态密度和电导的影响  23-25
    3.3.3 两端宽度不同的扶手椅型纳米石墨带的态密度和电导  25-30
    3.3.4 两端宽度不同的锯齿型纳米石墨带的态密度和电导  30-37
结论  37-38
参考文献  38-39
致谢  39

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中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 固体理论
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