学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

二维硅光子晶体制备及带隙研究

作　者: 路昱
导　师: 端木庆铎
学　校: 长春理工大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 光子晶体光子禁带时域有限差分法电化学腐蚀
分类号: O734
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
下　载: 29次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载

内容摘要

光子晶体是不同介电材料周期性排列形成的具有光子禁带的一种结构,某一频率范围的光落在带隙中将被禁止向外传播,利用这一特性可以操控光在光子晶体中的传播。在N型硅衬底上用光电化学腐蚀方法制备了二维空气柱光子晶体,并对制备过程中诱导坑的结构、腐蚀溶液配比和腐蚀电压对光子晶体结构的影响做了分析,优化了工艺参数,得到了较好的实验制备条件。用FDTD法对二维空气柱光子晶体的带隙特性进行了时域仿真,通过分析E、H两种偏振的透射特性,研究了晶格周期、晶格结构和空气柱孔径对光子带隙的影响,为实验制备提供了理论依据。

全文目录

摘要  4-5
ABSTRACT  5-6
目录  6-7
第一章绪论  7-19
  1.1 光子晶体简介  7-9
  1.2 光子晶体性质及应用  9-13
  1.3 光子晶体的制备方法  13-18
  1.4 本论文的主要研究内容  18-19
第二章光子晶体的理论分析方法  19-32
  2.1 电磁波在光子晶体传播的主方程  19-21
  2.2 平面波展开法  21-22
  2.3 时域有限差分法  22-32
第三章硅基二维光子晶体光电化学腐蚀工艺优化  32-46
  3.1 诱导坑制备工艺  32-34
  3.2 二维空气柱光子晶体的光电化学腐蚀  34-37
  3.3 诱导坑对二维光子晶体形貌的影响  37-39
  3.4 工作电压对二维通道结构生长的影响  39-41
  3.5 腐蚀溶液配比对二维通道结构生长的影响  41-46
第四章二维空气柱光子晶体带隙时域仿真  46-56
  4.1 二维光子晶体带隙时域仿真过程  46-49
  4.2 晶格周期对二维光子晶体带隙的影响  49-53
  4.3 晶格类型对二维光子晶体带隙的影响  53-54
  4.4 空气圆柱半径对光子晶体带隙的影响  54-56
结论  56-57
致谢  57-58
参考文献  58-59

二维硅光子晶体制备及带隙研究

内容摘要

全文目录

相似论文