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半导体电磁屏蔽薄膜基础研究
作 者: 余刚
导 师: 顾真安
学 校: 中国建筑材料科学研究总院
专 业: 材料学
关键词: ITO膜 SnO2:F膜 电磁屏蔽 有限元法 载流子浓度 导电机理
分类号: TB383.2
类 型: 硕士论文
年 份: 2007年
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内容摘要
武器装备透明器件上制备透明导电薄膜以达到电磁屏蔽、防止信息泄漏的目的,同时要求具有较高的机械强度以满足作战环境的需要。本文根据电磁屏蔽性能实际测量方法,建立有限元模型,分析影响电磁屏蔽性能的主要因素,提出透明导电膜的使用范围,为设计、制备电磁屏蔽薄膜提供理论依据,具有一定创新性;研究ITO薄膜导电机理:晶化温度150℃以下薄膜载流子主要来源是氧空位,随氧分压增加氧空位减少,光学带隙变窄,在室温条件下氧分压由零增加到1%时,电阻率由10-3Ω·cm增加到4.4×10-2Ω·cm;温度升到晶化温度以上,薄膜的结晶程度提高,Sn掺杂效率提高,载流子主要来源是Sn替位掺杂,载流子浓度随温度升高而增加,光学带隙变宽;300℃,氧分压1%条件下,薄膜结晶完整,组成接近化学配比,可见光透过率高,薄膜主要以Sn替位掺杂提供载流子,电阻率随温度的升高而降至最小值2.4×10-4Ω·cm,薄膜电磁屏蔽性能及光电性能最为理想,但薄膜中仍存在氧空位,高温处理过程薄膜电阻率增加,电磁屏蔽性能下降。根据ITO和SnO2:F薄膜的光电特性,研究了高性能电磁屏蔽玻璃制备工艺,当要求电磁波反射率大于85%时应采用ITO薄膜,但需先行刚化增强处理再镀制ITO薄膜;对于要求电磁波反射率大于80%时则可采用SnO2:F薄膜,在镀膜后再行刚化增强处理,适合规模化生产,且成本低。本研究结果为高透过、高强度电磁屏蔽玻璃的制备和应用打下了良好基础。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-8 第一章 绪论 8-15 1.1 引言 8 1.2 电磁干扰及信息泄漏 8-10 1.3 电磁屏蔽原理 10-11 1.4 薄膜屏蔽材料 11-13 1.5 电磁屏蔽设计 13 1.6 高性能电磁屏蔽玻璃要求 13-14 1.7 本文研究的意义与主要研究内容 14-15 1.7.1 研究意义 14 1.7.2 主要研究内容 14-15 第二章 薄膜电磁屏蔽性能计算与分析 15-25 2.1 有限元法的应用 15 2.2 电磁屏蔽性能有限元计算 15-16 2.3 模型的建立及参数设置 16-20 2.3.1 电磁屏蔽性能测量方法 16-17 2.3.2 根据测量方法建立模型 17-18 2.3.3 计算结果的表达 18-20 2.4 薄膜电磁屏蔽性能计算结果及分析 20-24 2.4.1 测量与计算结果对比 20-21 2.4.2 电阻率及膜厚对屏蔽性能影响 21-24 2.5 小结 24-25 第三章 ITO 薄膜导电机理分析 25-43 3.1 ITO 样品的制备及表征方法 25-26 3.1.1 实验设备 25-26 3.1.2 表征方法 26 3.2 称底温度的影响 26-29 3.2.1 称底温度对薄膜电学性能的影响 26-27 3.2.2 衬底温度对薄膜光学性能的影响 27-28 3.2.3 衬底温度对薄膜结构的影响 28-29 3.3 氧分压的影响 29-32 3.3.1 氧分压对薄膜光电性能的影响 29-31 3.3.2 氧分压对薄膜结构的影响 31-32 3.4 氧分压及温度对光学带隙的影响 32-35 3.5 ITO 薄膜化学态及晶化程度分析 35-39 3.5.1 ITO 薄膜的化学态的研究 35-37 3.5.2 ITO 薄膜晶化程度分析 37-39 3.6 ITO 薄膜载流子浓度及Hall 迁移率 39-41 3.7 小结 41-43 第四章 高性能电磁屏蔽玻璃制备工艺 43-52 4.1 金属膜 43-45 4.2 半导体薄膜 45-48 4.2.1 SnO_2:F薄膜 45-46 4.2.2 电磁屏蔽性能分析 46 4.2.3 电磁屏蔽膜的光学性能 46-48 4.3 薄膜的耐热稳定性能 48-49 4.4 高性能电磁屏蔽玻璃制备工艺 49-51 4.5 小结 51-52 结论 52-54 下一步工作思考 54-55 参考文献 55-58 攻读硕士学位期间发表论文和参与科研项目 58-59 致谢 59
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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
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