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声表面波滤波器基底金刚石的研制
作 者: 洪松
导 师: 杨保和
学 校: 天津理工大学
专 业: 物理电子学
关键词: 声表面波滤波器 金刚石薄膜 直流电弧等离子体喷射CVD法 BlΦtekjar理论 有限元法
分类号: TN713
类 型: 硕士论文
年 份: 2007年
下 载: 98次
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内容摘要
随着现代电子设备信息处理量的扩大,通信载波频段必须向更高频的频率区移动,声表面波滤波器(SAWF)是现代无限移动通讯系统的关键部件之一,其工作频率f是由材料的声表面波传播速度V和波长λ决定的,即f=V/λ:由于所采用的材料及加工工艺的限制,目前的声表面波器件,其工作频率很难达到GHz。金刚石具有非常高的声表面波传播速度,以它们作为沉底在现有的工艺条件下很容易制作出GHz的薄膜型SAWF,因此利用金刚石研制GHz声表面波器件已成为当前国际上的一个研究热点。本论文围绕GHz SAW器件的研制,采用直流电弧等离子体喷射CVD技术来制造适合声表面波滤波器的基底的金刚石。利用XRD、SEM、Raman等测试方法对薄膜结晶性能、表面形貌进行分析。取得的结果主要如下:首先,采用直流电弧等离子体喷射CVD技术制备金刚石膜,系统的研究了前期处理、衬底温度、甲烷与氩气的比等工艺条件对薄膜性能的影响。并对测试出现的结果进行分析。最终,在优化工艺条件下制备出高质量的金刚石膜,表现在:金刚石膜抛光后有很低的粗糙度、较高的sp3浓度、近一毫米的厚度。为下一步制备声表面波滤波器奠定了基础。其次,详细介绍了BlΦtekjar理论及其发展过程,最后介绍了在分析叉指换能器的有限元法。
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全文目录
摘要 5-6 ABSTRACT 6-9 第一章 文献综述 9-15 1.1 声表面波技术与声表面波器件发展史及发展趋势 9-11 1.2 声表面波滤波器结构原理 11-12 1.3 多层结构高频SAWF器基底金刚石及压电薄膜材料的制备 12-13 1.4 多层膜SAWF的模拟 13-14 1.5 国内外研究现状 14 1.6 本文的立项依据和主要工作 14-15 第二章SAWF基底金刚石的制备 15-41 2.1 金刚石膜的制备方法及应用 15-20 2.1.1 力学性能与在声表面波器件中的应用 15 2.1.2 热学性能与在声表面波器件中的应用 15-16 2.1.3 光学性能与应用 16 2.1.4 金刚石膜化学汽相沉积方法 16-20 2.1.5 金刚石膜现有CVD 工艺综合分析 20 2.1.6 结束语 20 2.2 SAWF基底用的金刚石的制备 20-40 2.2.1 SAWF基底用金刚石的特性要求 20-21 2.2.2 直流电弧等离子体喷射CVD金刚石膜的原理及实验步骤 21-24 2.2.3 直流等离子体喷射法生长金刚石膜缺陷 24-26 2.2.3.1 形核面的缺陷 25 2.2.3.2 金刚石膜的裂纹 25-26 2.2.4 直流等离子体喷射法不同工艺参数的比较 26-40 2.2.4.1 不同温度条件下生长金刚石膜性能比较 27-29 2.2.4.2 不同碳源条件下比较生长金刚石膜性能 29-31 2.2.4.3 不同钼台衬底条件下所成薄膜背面的比较 31-32 2.2.4.4 不同工艺参数条件下的喇曼谱测试分析 32-36 2.2.4.5 不同参数条件下的X 射线测试分析 36-38 2.2.4.6 抛光后的金刚石薄膜SEM图及Raman测试 38-40 2.3 本章小结 40-41 第三章 声波在栅阵中传播特性的分析方法 41-55 3.1 概述 41 3.1 SAW术语解释 41-42 3.2 金属栅中的BLΦTEKJAR理论及其推广 42-50 3.2.1 单电极栅的BlΦtekjar理论 42-45 3.2.2 斜向传播的Wagner理论 45-46 3.2.3 双电极及多电极栅阵的Aoki理论 46-50 3.3 栅阵中的声波激励与传播 50-54 3.3.1 栅阵的有效介电常数 50-52 3.3.2 离散格林函数计算 52-53 3.3.3 δ函数模型 53-54 3.4 本章小结 54-55 第四章 有限元法分析金属栅的方法 55-60 4.1 有限元法简介 55-56 4.2 有限元分析过程 56 4.3 有限元法金属栅的分析方法 56-59 4.4 本章小结 59-60 第五章 展望 60-63 参考文献 63-66 发表论文及参与科研 66-67 致谢 67-68
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 基本电子电路 > 滤波技术、滤波器
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