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FeCuNbSiB复合结构多层膜的巨磁阻抗效应及磁化特性的研究

作　者: 林宏
导　师: 袁望治
学　校: 华东师范大学
专　业: 凝聚态物理
关键词: XRD 磁光克尔效应磁各向异性巨磁阻抗效应 FeCuNbSiB复合结构多层膜
分类号: O484.43
类　型: 硕士论文
年　份: 2007年
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内容摘要

基于薄膜材料易于集成化、微型化,在巨磁阻抗效应器件方面有着重大的应用前景,本文采用磁控溅射法制备了FeCuNbSiB/Si02/Cu/Si02/FeCuNbSiB/Si02型复合结构多层膜,利用XRD谱、表面磁光克尔效应(SMOKE)和磁导率频谱对由溅射功率和退火温度引起的材料磁性能的变化,以及对巨磁阻抗效应的影响进行了研究。1.当改变制备磁性层的溅射功率时,随着溅射功率的增加,多层膜样品的平面矫顽力逐渐减小,软磁性能提高,巨磁阻抗效应增大。当溅射功率为150W时,制备态样品出现最大的阻抗效应,横向阻抗效应为53%,纵向阻抗效应为44.3%;但溅射功率增加至200W后,由于溅射应力增大,样品出现了一定的垂直各向异性,巨磁阻抗效应明显减弱。2.退火温度对FeCuNbSiB多层膜的磁性能影响很大。当退火温度为400℃时,样品的极向克尔磁滞回线表现出较大矫顽力、高矩形比的垂直各向异性,导致样品的软磁性能减弱,巨磁阻抗效应显著下降。540℃退火处理后,样品纳米晶化,表现出优异的软磁性能,横向阻抗效应最高达到102.7%。3.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及其与GMI效应的关系。外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消的并联电路相关。样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近。

全文目录

中文摘要  6-7
ABSTRACT  7-9
第一章绪论  9-30
  1.1 巨磁阻抗效应  9-17
  1.2 FINEMET合金  17-19
  1.3 磁光克尔效应  19-25
  1.4 磁化特性  25-29
  1.5 本论文的研究目的和主要内容  29-30
第二章复合结构薄膜的制备及表征手段  30-37
  2.1 薄膜制备方法  30-33
  2.2 样品表征手段  33-36
  2.3 巨磁阻抗测量系统  36-37
第三章 FeCuNbSiB复合结构多层膜样品的巨磁阻抗效应及其磁性能研究  37-52
  3.1 不同溅射功率样品的巨磁阻抗效应研究  38-43
  3.2 不同退火条件对样品巨磁阻抗效应的影响  43-45
  3.3 薄膜样品的微结构与磁性能研究  45-51
  3.4 本章小结  51-52
第四章 FeCuNbSiB复合结构多层膜样品的磁化特性研究  52-64
  4.1 多层膜的磁导率与磁阻抗的关系  52-55
  4.2 薄膜样品的磁化特性研究  55-59
  4.3 溅射功率对薄膜样品的磁化特性的影响  59-63
  4.4 本章小结  63-64
第五章结论  64-65
参考文献  65-69
攻读硕士学位期间发表的论文  69-70
致谢  70

FeCuNbSiB复合结构多层膜的巨磁阻抗效应及磁化特性的研究

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