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低压二次温度补偿高精度带隙基准源设计

作　者: 江志伟
导　师: 谢憬
学　校: 上海交通大学
专　业: 软件工程
关键词: 带隙基准源 二次温度补偿 温度系数
分类号: TN432
类　型: 硕士论文
年　份: 2006年
下　载: 537次
引　用: 1次
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内容摘要


研究了普通带隙基准源电路的几个主要模块:带隙基准核,误差放大器和启动电路,比较和分析了近年来国内外几种二次温度补偿技术,最终选择了一种较为可行的非线性补偿方法,设计出一个能在1.5V电压下正常启动工作的低压二次温度补偿带隙基准源电路。本次设计的低压二次温度补偿高精度带隙基准电压源使用的工艺是TSMC 0.35μm标准CMOS工艺,输出基准电压大约0.65V,温度系数4.9ppm/℃,电源抑制比接近60dB。电源电压范围为1.2V到2.5V。达到了预计的性能指标。

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 半导体集成电路（固体电路） > 场效应型
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