学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

金属诱导横向结晶n型薄膜晶体管直流退化机制研究

作　者: 薛敏
导　师: 王明湘
学　校: 苏州大学
专　业: 通信与信息系统
关键词: 低温多晶硅 薄膜晶体管 金属诱导横向结晶 热载流子退化 自加热退化
分类号: TN325
类　型: 硕士论文
年　份: 2006年
下　载: 64次
引　用: 1次
阅　读: 论文下载
 

内容摘要


本文主要研究了典型尺寸的n型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管在两种常见的直流应力偏置下的退化现象:热载流子退化和自加热退化。具体研究了器件在不同的应力电压和应力时间下的退化现象及退化规律,并提出了器件退化的模型。在热载流子应力条件下,器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。我们通过载流子在漏极附加陷阱态势垒的输运模型,解释了器件在应力后出现的阈值电压的退化现象和非对称性开态电流恢复现象。自加热退化与热载流子退化相比,最大的区别在于出现了明显的亚阈值特性的退化。这主要是由于在自加热应力下,整个沟道中都出现了缺陷态的产生,从而使器件的亚阈值摆幅发生了退化。在自加热退化中我们也发现了类似热载流子退化中的非对称性恢复现象,并对其退化特点和模型进行了讨论。我们还对低漏极应力电压下和高漏极应力电压下的自加热退化进行了比较,讨论了两者退化机制的不同。文章还结合近几年国际上对于低温多晶硅薄膜晶体管器件可靠性开展的一些有代表性的研究工作,对一些常见的退化现象进行了综述和比较。

全文目录


中文摘要  3-4
Abstract  4-7
第一章 绪论  7-15
  1.1 平板显示技术简介  7-11
    1.1.1 LCD 液晶显示器  7-8
    1.1.2 OLED 有机发光显示器  8-10
    1.1.3 其他平板显示技术简介  10-11
  1.2 低温多晶硅技术简介  11-15
    1.2.1 LPCVD 简介  11-12
    1.2.2 SPC 简介  12
    1.2.3 ELC 简介  12-13
    1.2.4 低温多晶硅技术的优点  13-15
第二章 目前多晶硅TFT 可靠性研究进展综述  15-25
  2.1 自加热（SH）退化机制  16-19
    2.1.1 SH 退化产生的原因  16-17
    2.1.2 SH 退化中的温度测量问题  17-18
    2.1.3 SH 退化中的恢复现象  18-19
  2.2 热载流子（HC）退化机制  19-22
    2.2.1 HC 退化模型  19-20
    2.2.2 HC 退化与SH 退化的比较  20-21
    2.2.3 交流HC 退化  21-22
  2.3 NBTI 退化机制  22
  2.4 一些特殊器件的退化现象  22-23
  2.5 本章结论  23-25
第三章 MILC 多晶硅技术和器件退化研究实验方法简介  25-34
  3.1 MILC 多晶硅技术简介  25-27
    3.1.1 非晶硅金属诱导晶化机理  25-27
  3.2 器件退化研究实验方法简介  27-34
    3.2.1 实验器件的工艺制备  27-29
    3.2.2 实验平台简介  29-32
    3.2.3 测量方法及应力条件  32-34
第四章 n 型TFT 直流热载流子退化研究  34-47
  4.1 实验结果与讨论  34-42
    4.1.1 HC 退化与栅极应力电压（Vg-stress）的关系  34-35
    4.1.2 HC 退化与漏极应力电压（Vd-stress）的关系  35-37
    4.1.3 HC 退化与应力时间（t-stress）的关系  37-39
    4.1.4 HC 应力后的退化恢复现象  39-42
  4.2 热载流子退化模型讨论  42-44
  4.3 本章结论  44-47
第五章 n 型TFT 直流自加热退化研究  47-62
  5.1 实验结果与讨论  47-58
    5.1.1 SH 退化与应力时间（t-stress）的关系  47-50
    5.1.2 SH 退化与漏极应力电压（Vd-stress）的关系  50-52
    5.1.3 SH 退化与栅极应力电压（Vg-stress）的关系  52-54
    5.1.4 SH 退化的恢复现象  54-56
    5.1.5 非典型SH 应力条件下的退化现象  56-58
  5.2 自加热退化模型讨论  58-60
  5.3 本章结论  60-62
第六章 结论  62-65
参考文献  65-69
攻读硕士学位期间发表的论文  69-70
致谢  70-71
中文详细摘要  71-73

相似论文

  1. 7英寸微晶硅AMOLED显示模块的研制,TN873
  2. 氧化锌薄膜晶体管的制备与研究,TN321.5
  3. TFT-LCD制造工艺中White Mura的消除,TN873.93
  4. 全透明InGaZnO_4薄膜晶体管,TN321.5
  5. TFT-LCD源极驱动芯片中关键模拟模块的研究与设计,TN873.93
  6. 多晶硅薄膜晶体管的衬底端表征方法研究,TN321.5
  7. I/O PMOSFET热载流子损伤机理研究,O473
  8. 铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究,TN321.5
  9. 低功耗LCD驱动电路的设计与研究,TN873
  10. 基于喷墨印刷的有机薄膜晶体管的研制,TN321.5
  11. 基于轴向配位金属卟啉的表面组装及其应用,O621.13
  12. 并五苯有机薄膜晶体管器件的研究,TN321.5
  13. 基于对吡咯施主—受主型共轭聚合物有机电子器件研究,TN15
  14. 氧化锌薄膜晶体管的制备及性能的研究,TN321.5
  15. 改善并五苯有机薄膜晶体管性能因素的研究,TN321.5
  16. TFT-LCD画面品质改善的研究与分析,TN873.93
  17. 基于光脉冲辅助的金属诱导横向晶化多晶硅薄膜的研究,O484
  18. Cat-CVD LTPS-TFT制备技术研究,TN304.055
  19. TFT LCD RGB显示模组的设计与测试,TN873.93
  20. TFT-LCD模块测试系统软件研究,TP311.52

中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按材料分
© 2012 www.xueweilunwen.com