约有2000条学位论文符合微电子学与固体电子学的查询结果,以下是第201-250项(搜索用时0.071秒)
- 高介电常数材料在功率器件上的应用研究与新器件的实现,李俊宏/电子科技大学,0/94
- 振动环境下VDMOS器件可靠性研究,高欣宇/哈尔滨理工大学,0/7
- 一种基于单片机的面阵OLED驱动电路设计,马朔琪/长春理工大学,0/2
- 高压SOI器件耐压模型与槽型新结构,胡夏融/电子科技大学,0/60
- ZnO基异质结电致发光器件,黄晖辉/武汉大学,0/17
- 新型碳化硅微波功率MESFET结构设计及性能分析,宋坤/西安电子科技大学,0/20
- 超结器件的模型研究及优化设计,黄海猛/电子科技大学,0/31
- 新型纳米SOI MOS器件结构分析与可靠性研究,曹磊/西安电子科技大学,0/79
- 基于铁电场效应晶体管的反相器的TCAD模拟,陆燕红/湘潭大学,0/20
- 高压低导通电阻SOI器件模型与新结构,范杰/电子科技大学,0/34
- 功率集成电路中高压ESD防护表面电流抑制模型与器件研究,蒋苓利/电子科技大学,0/46
- 新型半桥功率集成电路的研究,孔谋夫/电子科技大学,0/87
- 智能功率集成电路中功率半导体器件的研究,程骏骥/电子科技大学,0/124
- Pt/Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)/Pt铁电电容X射线辐照实验与TCAD模拟,李丽/湘潭大学,0/3
- GaN电子器件的物理特性模拟及分析,于英霞/山东大学,0/98
- 互补色白光有机电致发光器件及其色稳定性研究,吴清洋/吉林大学,0/92
- 氮化镓基MFSFET电化学性能研究,冉金枝/兰州大学,0/31
- 考虑结深的超短沟道MOSFET二维半解析模型,韩名君/安徽大学,0/3
- 基于半解析法MOSFET寄生电容的研究,王敏/安徽大学,0/0
- 抗辐射SOI CMOS器件结构的研究与设计,周永辉/杭州电子科技大学,0/3
- RSD关断特性及评价方法研究,汪恺/华中科技大学,0/8
- 锗硅异质结晶体管及其微波低噪声放大器技术研究,贾素梅/河北工业大学,0/14
- SiGe HBT器件及其在LNA电路中的应用研究,张滨/西安电子科技大学,0/31
- 以壳聚糖为栅介质的低压氧化物薄膜晶体管,韩笑/湖南大学,0/7
- 氧化锌基薄膜晶体管的制备与性能研究,金礼/湘潭大学,0/75
- 高压IGBT的设计与实现及功率器件可靠性研究,张斌/浙江大学,0/92
- 异质结双极型晶体管的制备与研究,高源/长春理工大学,0/0
- 应用于多个LED晶片定位的图像匹配系统设计与实现,鞠晋彬/哈尔滨工业大学,0/14
- 面向三维成像的单光子雪崩二极管及像素电路的研究,周晓亚/湘潭大学,0/42
- 电流自动可调低功耗LED驱动电路的研究与设计,石合地/湘潭大学,0/61
- 具有ITO的GaNLED光电特性及可靠性研究,丁艳/北京工业大学,0/70
- 大功率LED封装的散热分析,唐开远/扬州大学,0/97
- 衬底材料与P~+保护环对SBD ESD性能影响的研究,董进宇/哈尔滨理工大学,0/6
- N型宏孔硅光电化学腐蚀的电流自动控制技术研究,李晓娜/长春理工大学,0/6
- 硅微通道板电化学微加工等径控制技术研究,于丰源/长春理工大学,0/1
- 硅微通道阵列氧化绝缘技术及应力问题研究,柴进/长春理工大学,0/1
- 激光干涉光刻的极限尺寸研究,王一聪/长春理工大学,0/4
- 硅微通道板电化学腐蚀系统光生载流子输运特性研究,张尧/长春理工大学,0/4
- ZnO薄膜加速度传感器的研制,李宏力/河北工业大学,0/55
- 氧化钒薄膜制备工艺及其相变特性研究,武斌/天津大学,0/0
- 氧化钒薄膜的快速热氧化法制备工艺与相变特性研究,高旺/天津大学,0/0
- 有序多孔硅基氧化钨薄膜复合结构气敏性能研究,刘青林/天津大学,0/1
- LED激励下快速热处理法制备的室温WO_3薄膜气敏性能研究,贾丁立/天津大学,0/0
- Al(In,Ga)N/(In)GaN/GaN异质结材料电学性能的研究,万伟/西安电子科技大学,0/11
- NiO薄膜的制备及其掺杂技术研究,汤海鹰/长春理工大学,0/2
- 化学法制备黑硅薄膜及性能研究,吴旭/长春理工大学,0/3
- 二氧化锡纳米结构的制备、光学性质及光催化性质研究,周旭明/扬州大学,0/141
- PLD制备六方相ZnS/CdS多层异质结构薄膜及其光学性能的研究,张伟/扬州大学,0/21
- ZnO基复合材料的改性研究,于斌/扬州大学,0/23
- Ga_2O_3薄膜的电子束蒸发制备与掺杂及其性质研究,程轶/大连理工大学,0/35
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